Die neuen Flash-Speicher sind vom Typ "PRAM" ("Phase-change memory") und werden von Samsung etwas hochtrabend als "Perfect RAM" beschrieben. PRAM-Flash zeichnet sich vor allem durch die kurzen Schaltzeiten. Flash-Speicher basieren auf der nicht-flüchtigen Ladung von Transistoren, die durch eine plötzliche hohe Spannung wieder gelöscht werden kann. Die Anzahl derZyklen für das Löschen und Laden liegt bei NOR-Flash zwischen 10.000 und 100.000 Zyklen. Samsung gibt für seinen PRAM-Flash eine zehnmal höhere Lebensdauer an. Die Kapazität der PRAM-Flash-Prototypen liegt bei 512 MBit und soll 20 Prozent weniger Energie verbrauchen.
Die neuen Speicher, die bereits 2006 erstmals vorgestellt wurden, sollen in mobilen Endgeräten wie Handys und Smartphones zum Einsatz kommen und ihnen eine höhere Geschwindigkeit verleihen. Auch das iPhone könnte davon profitieren, setzt Apple doch bisher auch NOR-Flashspeicher für den Ladevorgang und als Cache-Speicher ein.
Bildnachweis: Golem.de
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